SnドープInSb単結晶薄膜の磁気抵抗効果と回転検出特性 Magneto-resistance Effect of Sn-doped InSb Single Crystal Thin Films and Application to Rotation Detection

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抄録

Using Sn-doped single crystal InSb thin films of 1.0μm thickness grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE), we have developed new magneto-resistance (MR) elements with very small temperature dependence. These MR elements was used to form rotation detection sensors combined with bias magnet, and we can achieve the stable contactless detection of rotating gear teeth over a wide range of rotation speeds and a wide range of temperatures-20 to 140°C.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society  

    電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society 126(8), 445-452, 2006-08-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  9件

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被引用文献:  4件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018182273
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1052634X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13418939
  • NDL 記事登録ID
    8056466
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-B380
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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