書誌事項
- タイトル別名
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- Magneto-resistance Effect of Sn-doped InSb Single Crystal Thin Films and Application to Rotation Detection
- Sn ドープ InSbタンケッショウ ハクマク ノ ジキ テイコウ コウカ ト カイテン ケンシュツ トクセイ
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抄録
Using Sn-doped single crystal InSb thin films of 1.0μm thickness grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy (MBE), we have developed new magneto-resistance (MR) elements with very small temperature dependence. These MR elements was used to form rotation detection sensors combined with bias magnet, and we can achieve the stable contactless detection of rotating gear teeth over a wide range of rotation speeds and a wide range of temperatures-20 to 140°C.
収録刊行物
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- 電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)
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電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌) 126 (8), 445-452, 2006
一般社団法人 電気学会
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1390282679436822400
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- NII論文ID
- 10018182273
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- NII書誌ID
- AN1052634X
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- ISSN
- 13475525
- 13418939
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- NDL書誌ID
- 8056466
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- 本文言語コード
- ja
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- データソース種別
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- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
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- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可