GaN-Based Vertical Field Effect Transistors with High Current Density Fabricated Using Self-Aligned Process

• 森田 竜夫

• 中澤 敏志

• 上田 哲三

書誌事項

タイトル別名

• GaN Based Vertical Field Effect Transistors with High Current Density Fabricated Using Self Aligned Process
• セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
• AWAD2006
• AWAD2006

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (137), 185-188, 2006-07

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• GaN
• InAlGaN
• 電流コラプス
• vertical
• field effect transistor
• current collapse

詳細情報

• CRID: 1520009409438819840
• NII論文ID: 110004813221
• NII論文ID: 10018216243
• NII論文ID: 110004840457
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 8015995
• NDL書誌ID: 8016811
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8015995
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8016811
• 本文言語コード: en
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles