Evaluation of Dielectric Reliability of Ultrathin HfSiO_xN_y in Metal Gate Capacitors

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著者

    • PEI Y.
    • Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
    • MURAKAMI H.
    • Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
    • HIGASHI S.
    • Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
    • MIYAZAKI S.
    • Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
    • NARA Y.
    • Semicondutor Leading Edge Technologies, Inc.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(137), 259-263, 2006-06-26 

参考文献:  10件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018216393
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012954
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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