PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用 Phosphorus Doping to Si Quantum Dots and Its Floating Gate Application

この論文をさがす

著者

    • 牧原 克典 MAKIHARA Katsunori
    • 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
    • 川口 恭裕 KAWAGUCHI Yoshihiro
    • 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
    • 池田 弥央 IKEDA Mitsuhisa
    • 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
    • 村上 秀樹 MURAKAMI Hideki
    • 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
    • 東 清一郎 HIGASHI Seiichiro
    • 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University
    • 宮崎 誠一 MIYAZAKI Seiichi
    • 広島大学大学院 先端物質科学研究科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(138), 135-138, 2006-06-26 

参考文献:  8件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018216863
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
ページトップへ