寄生容量低減によるHEMT IC動作速度の向上 Improvement of circuit-speed of HEMTs IC by reducing the parasitic capacitance

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  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(138), 195-200, 2006-06-26 

参考文献:  3件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018216960
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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