Twin-Channel (TC)-MOSFET の提案とデバイスプロセスの検討 A Proposal of Twin-Channel (TC)-MOSFET and its Fabrication Process

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著者

    • 大見 俊一郎 OHMI Shun-ichiro
    • 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻 Dept. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
    • 酒井 徹志 SAKAI Tetsushi
    • 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻 Dept. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(138), 223-228, 2006-06-26 

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018217015
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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