InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出 Terahertz Emission of Radiation Produced by Photoexcited Instability of Two-Dimensional Plasmons in an InGaP/InGaAs/GaAs Heterostructure Transistor

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収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(138), 291-295, 2006-06-26 

参考文献:  16件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018217158
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013254
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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