45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果 Suppression effects of threshold voltage variation of Ni FUSI gate electrode for 45nm node and beyond LSTP and SRAM devices

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著者

    • 岡山 康則 OKAYAMA Y.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 齋藤 友博 SAITO T.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 大石 周 OISHI A.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 中嶋 一明 NAKAJIMA K.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 松尾 浩司
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 谷口 修一 TANIGUCHI S.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 小野 高稔 ONO T.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 中山 和宏 NAKAYAMA K.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 渡辺 竜太 WATANABE R.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 英保 亜弓 EIHO A.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 菰田 泰生 KOMODA T.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 木村 泰己 KIMURA T.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 濱口 雅史 HAMAGUCHI M.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 竹川 陽一 TAKEGAWA Y.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 青山 知憲 AOYAMA T.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 飯沼 俊彦 IINUMA T.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター Process and Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 森本 類 MORIMOTO R.
    • ソニー株式会社 半導体事業グループ Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 大野 圭一 OONO K.
    • ソニー株式会社 半導体事業グループ Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 齋藤 正樹 SAITO M.
    • ソニー株式会社 半導体事業グループ Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 岩井 正明 IWAI M.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 山田 誠司 YAMADA S.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
    • 松岡 史倫 MATSUOKA F.
    • 株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部 System LSI Division, Semiconductor Company, Toshiba Corporation

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路  

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 106(207), 115-120, 2006-08-10 

参考文献:  5件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018234159
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013276
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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