バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発 High Performance Dual Metal Gate CMOS with High Mobility and Low Threshold Voltage Applicable to Bulk CMOS Technology

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著者

    • 山口 晋平 YAMAGUCHI S.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 田井 香織 TAI K.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 平野 智之 HIRANO T.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 安藤 崇志 ANDO T.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 檜山 進 HIYAMA S.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • WANG J.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 萩本 賢哉 HAGIMOTO Y.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 長濱 嘉彦 NAGAHAMA Y.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 加藤 孝義 KATO T.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 長野 香 NAGANO K.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 山中 真由美 YAMANAKA M.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 寺内 佐苗 TERAUCHI S.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 神田 さおり KANDA S.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 山本 亮 YAMAMOTO R.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 館下 八州志 TATESHITA Y.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 田川 幸雄 TAGAWA Y.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 岩元 勇人 IWAMOTO H.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 斉藤 正樹 SAITO M.
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    • 長島 直樹 NAGASHIMA N.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation
    • 門村 新吾 KADOMURA S.
    • ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部 Semiconductor Technology Development Group, Semiconductor Business Unit, SONY Corporation

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路  

    電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 106(207), 121-126, 2006-08-10 

参考文献:  11件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018234165
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013276
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • データ提供元
    CJP書誌 
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