Light-Output Enhancement of GaN-Based Light-Emitting Diodes by Photoelectrochemical Oxidation in H_2O

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収録刊行物

  • Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes  

    Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes 45(9), 6927-6929, 2006-09-15 

    Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

参考文献:  11件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018245735
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10457675
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • 雑誌種別
    大学紀要
  • ISSN
    00214922
  • NDL 記事登録ID
    8055721
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z53-A375
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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