次世代TFT作製に向けたシリコン結晶化技術 Crystallization Technology of Si Thin Films for Future TFTs

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

抄録

Thin film transistor, which had been in practical use with amorphous silicon (a-Si) as base material in 80's, blossomed into poly-Si TFTs by a driving force of the Excimer Laser re-crystallization technology. The feature of the Excimer laser fits for the lateral growth of Si thin films, i.e., its characteristics such as short wavelength, high power density, low coherency and short pulse enable the progress of the advanced "Phase Modulated Excimer Laser Annealing (PMELA)" method. We have developed a position-controlled large grain Si arrays process using the PMELA method. Excimer laser still requires many refinement to achieve the practical use of the "System displays" .

収録刊行物

  • レーザー研究  

    レーザー研究 34(10), 679-683, 2006-10-15 

    The Laser Society of Japan

参考文献:  12件

参考文献を見るにはログインが必要です。ユーザIDをお持ちでない方は新規登録してください。

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018312174
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    8546759
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
ページトップへ