固相とレーザーの組み合わせ結晶化による結晶方位制御の可能性 Orientation Control of Silicon Crystal Grain by Combination of Metal-Induced Solid-Phase Crystallization and Excimer Laser Annealing

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著者

    • 浅野 種正 ASANO Tanemasa
    • 九州大学大学院 システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻 Department of Electronics, Kyushu University
    • 中川 豪 NAKAGAWA Gou
    • 九州大学大学院 システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻 Department of Electronics, Kyushu University

抄録

A novel technique of location and orientation control of Si crystal grain by combining metal-induced solidphase annealing and excimer laser annealing (ELA) is demonstrated. Two solid-phase annealing processes were investigated.(1) Metal (Ni) nano-imprint at the a-Si film surface is used for the purpose of creating {111} oriented Si crystal nuclei which act as the seed for the subsequent crystallization using ELA. The annealing to form nuclei at the imprinted sites was carried out at temperatures below 450 °C. ELA using XeCl laser of the sample resulted in the formation of 2.5 μm-sized Si grains at the imprinted sites, while {111} orientation was not observed.(2) The starting a-Si film is deposited on SiO<SUB>2</SUB> substrate having cone-shaped shallow pits. Ni-metal induced lateral crystallization (Ni-MILC) is used to form highly {110} oriented polySi. After XeCl-laser-based ELA, 2.5 μm-sized Si grains having the same orientation as that determined by NiMILC were produced at the pit sites. It suggests that location and orientation control is possible by combining MILC and ELA.

収録刊行物

  • レーザー研究  

    レーザー研究 34(10), 684-688, 2006-10-15 

    The Laser Society of Japan

参考文献:  14件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018312187
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    8546772
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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