ダブルパルスグリーンレーザーアニール技術 : 高品質ポリシリコン薄膜形成 Double-Pulsed Green Laser Annealing Technologies : Formation of High-Quality Poly-Si Thin Films

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抄録

The advanced lateral crystal growth (ALCG) process developed with the double-pulsed green laser annealing system enabled Si grains to be grown laterally and continuously through a step scan of a line beam in the same way as conventional excimer laser annealing (ELA). The field effect mobility of n-channel ALCG-SiTFTs for a current parallel to grain boundaries reaches a high level of 600 cm<SUP>2</SUP>/Vs and the strong temperature dependence of the mobility is close to that of single crystal MOS transistors. The 10μm-wide ultra fine beams up to 75 mm in length for the next generation p-SiTFT and up to 150 mm in length for OLED, applied to massproduction machines, were developed by using the beam delivery optics system in conjunction with the optical technique spatially combining multiple laser beams.

収録刊行物

  • レーザー研究  

    レーザー研究 34(10), 698-703, 2006-10-15 

    The Laser Society of Japan

参考文献:  16件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018312224
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    8546820
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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