SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部

• 櫻庭 政夫

  東北大学電気通信研究所

• 室田 淳一

  東北大学電気通信研究所

書誌事項

タイトル別名

• Hot-Carrier-Degradation of Hetero-Interface in SiGe/Si-Hetero-MOSFETs

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006 (15), 1-6, 2006-10-03

キーワード

• SiGe
• MOSFET
• ホットキャリア
• チャージポンピング
• ヘテロ界面準位
• 信頼性

詳細情報

• CRID: 1573387450170123776
• NII論文ID: 10018312310
• NII書誌ID: AN10442556
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles