Design of Intrinsic and Extrinsic Base Process of SiGeC HBT

• KIYOTA Yukihiro

  SONY

• YAMAGATA Hideo

  SONY Semiconductor Kyusyu

Bibliographic Information

Other Title

• SiGeC HBTの真性及び外部ベースのプロセス設計

Journal

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006 (15), 7-10, 2006-10-03

Keywords

• Blanket SiGeC epitaxy
• Hetero-junction bipolar transistor
• Intrinsic base
• Extrinsic base

Details

• CRID: 1570009750449596544
• NII Article ID: 10018312321
• NII Book ID: AN10442556
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • CiNii Articles