極薄SiGeバッファー層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長 Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(100) substrate using ultra thin Si_<0.5>Ge_<0.5> buffer

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収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会  

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006(15), 25-29, 2006-10-03 

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018312353
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10442556
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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