極薄SiGeバッファー層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長

• 中津留 順子

  キヤノンアネルバ株式会社

• 伊達 大樹

  キヤノンアネルバ株式会社

• 真白 すぴか

  キヤノンアネルバ株式会社

• 池本 学

  キヤノンアネルバ株式会社

書誌事項

タイトル別名

• Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(100) substrate using ultra thin Si_<0.5>Ge_<0.5> buffer

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006 (15), 25-29, 2006-10-03

キーワード

• エピタキシャル成長
• ゲルマニウム
• シリコンゲルマニウム
• バッファー層

詳細情報

• CRID: 1571135650356438016
• NII論文ID: 10018312353
• NII書誌ID: AN10442556
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles