ECRプラズマCVDによるIV族半導体エピタキシャル成長

• 櫻庭 政夫

  東北大学

• 武藤 大祐

  東北大学

• 森 聖樹

  東北大学

• 菅原 勝俊

  東北大学

• 室田 淳一

  東北大学

書誌事項

タイトル別名

• Epitaxial Growth of Group IV Semiconductor in ECR Plasma Enhanced CVD

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006 (15), 39-43, 2006-10-03

キーワード

• Si
• Ge
• エピタキシャル成長
• プラズマ化学気相成長
• SiH_4
• GeH_4
• Si(100)

詳細情報

• CRID: 1570572700403020160
• NII論文ID: 10018312379
• NII書誌ID: AN10442556
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles