PVSQ膜を用いたSODI構造による誘電体分離型HVICの開発 Improved dielectric isolation HVIC technology (SODI) by using PVSQ layer

この論文をさがす

著者

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2006(67), 7-11, 2006-10-25

参考文献:  8件中 1-8件 を表示

  • <no title>

    MERCHANT S.

    IEEE Proc. of ISPSD'91, 1991

    被引用文献1件

  • <no title>

    AKIYAMA H.

    IEEE Proc. of ISPSD'04, 2004

    被引用文献1件

  • <no title>

    UDREA F.

    IEEE Proc. of ISPSD'05, 2005

    被引用文献1件

  • <no title>

    ROTTER T.

    Proc. of IEDM 2004, 2004

    被引用文献1件

  • <no title>

    MAJUMDAR G.

    IEEE Proc of ISPSD'04, 2004

    被引用文献1件

  • <no title>

    AKIYAMA H.

    Proc. of ISPSD2006, 2006

    被引用文献1件

  • <no title>

    秋山肇

    IEE Japan 平成17年電気学会全国大会, 2005

    被引用文献1件

  • <no title>

    YASUDA N.

    J. Polm. Sci. PartA 39(24), 4196, 2001

    被引用文献2件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018312715
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
ページトップへ