キャリア移動度変調による超接合の低オン抵抗化

• 岸本 大輔

  オン・セミコンダクター・テクノロジー 研究開発センター

• 青木 正明

  オン・セミコンダクター・テクノロジー 研究開発センター

書誌事項

タイトル別名

• Reduction of On-Resistance in Superjunction by Using the Carrier Mobility Modulation

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2006 (67), 25-30, 2006-10-25

キーワード

• パワーMOSFET
• 超接合
• オン抵抗
• 移動度
• 変調
• 超格子
• シミュレーション

詳細情報

• CRID: 1572543025240104832
• NII論文ID: 10018312746
• NII書誌ID: AN1044178X
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles