200V Super Junction MOSFET Fabricated by Trench Filling Epitaxial Si Growth

• SHIBATA Takumi

  DENSO CORPORATION

• YAMAUCHI Shoichi

  DENSO CORPORATION

• YAMAGUCHI Hitoshi

  DENSO CORPORATION

• NOGAMI Shoji

  SUMCO CORPORATION

• YAMAOKA Tomonori

  SUMCO CORPORATION

• HATTORI Yoshiyuki

  TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC.

Bibliographic Information

Other Title

• トレンチ埋込エピタキシャル成長を用いた200V系スーパージャンクションMOSFET

Journal

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2006 (67), 31-34, 2006-10-25

Keywords

• power MOSFET
• super junction
• trench filling epitaxial Si growth

Details

• CRID: 1574231875100369280
• NII Article ID: 10018312755
• NII Book ID: AN1044178X
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • CiNii Articles