550V Superjunction 3.9ohme-mm2 Transistor Formed by 25 MeV Masked Boron Implantation
収録刊行物
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- Proc. ISPSD2004
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Proc. ISPSD2004 2004
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詳細情報
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- CRID
- 1571980075286682880
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- NII論文ID
- 10018312763
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- データソース種別
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- CiNii Articles