トレンチ埋込法により作製した20mΩcm^2 660V SJ-MOSFET 20mΩcm^2 660V Super Junction MOSFETs Fabricated by Deep Trench Etching and Epitaxial Growth

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著者

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会  

    電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2006(67), 35-39, 2006-10-25 

参考文献:  8件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018312765
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1044178X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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