Numerical switching characteristics analysis of low voltage Trench MOSFET with floating-P layer
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- AKIYAMA Miwako
- Toshiba Corporation Semiconductor Company
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- KAWAGUCHI Yusuke
- Toshiba Corporation Semiconductor Company
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- ONO Syotaro
- Toshiba Corporation Semiconductor Company
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- YAMAGUCHI Yoshihiro
- Toshiba Corporation Semiconductor Company
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- NAKAGAWA Akio
- Toshiba Corporation Semiconductor Company
Bibliographic Information
- Other Title
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- フローティングP構造低耐圧 Trench MOSFET のシミュレーションによるスイッチング特性解析
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Journal
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- 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会
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電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2006 (47), 1-5, 2006-10-24
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Details 詳細情報について
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- CRID
- 1571980075286685312
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- NII Article ID
- 10018312783
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- NII Book ID
- AN1044178X
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- Text Lang
- ja
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- Data Source
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- CiNii Articles