IGBTとMOSFETのシリコン限界特性とその実現に向けた考察

• NAKAGAWA Akio

  (株)東芝 セミコンダクター社

Bibliographic Information

Other Title

• Evolution of Silicon Power Devices and Challenges to Material Limit [14]

Journal

• 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

  電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2006 (47), 77-82, 2006-10-24

Keywords

• IGBT
• MOSFET
• CoolMOS
• DrMOS
• Short-circuit SOA
• Silicon limit
• FOM
• New FOM

Details

• CRID: 1570009750449404544
• NII Article ID: 10018312885
• NII Book ID: AN1044178X
• Text Lang: en
• Data Source:
  • CiNii Articles