パルスレーザ堆積法により低温基板に作製した酸化亜鉛系透明導電膜 Transparent Conducting ZnO Thin Films Prepared at Room Temperature by PLD Method

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著者

    • 安倉 秀明 AGURA Hideaki
    • 大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Sangyo University
    • 高瀬 康則 TAKASE Yasunori
    • 大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Sangyo University
    • 上原 賢二 [他] UEHARA Kenji
    • 大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Sangyo University
    • 中村 篤宏 NAKAMURA Atsuhiro
    • 大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Sangyo University
    • 東村 佳則 HIGASHIMURA Yoshinori
    • 大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Sangyo University
    • 青木 孝憲 AOKI Takanori
    • 大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Sangyo University
    • 鈴木 晶雄 SUZUKI Akio
    • 大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Sangyo University
    • 松下 辰彦 MATSUSHITA Tatsuhiko
    • 大阪産業大学 工学部 電子情報通信工学科 Department of Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Sangyo University

抄録

Al-doped zinc oxide (AZO) or Ga-doped zinc oxide (GZO) films with c-axis orientation have been deposited on glass substrates by pulsed laser deposition (PLD) using an ArF excimer laser (<i>λ</i>= 193 nm) or Nd:YAG laser (<i>λ</i>= 532, 355, 266 nm). The film deposition took place at substrate temperatures of room temperature (25 °C) ∼ 200 °C. For the GZO film deposited by irradiating a pulsed laser beam of energy density of 1 J/cm<sup>2</sup> at repetition frequency of 10 Hz, we obtained the 416 nm-thick GZO film with the lowest resistivity of 2. 89×10<sup>-4</sup> Ω·cm for the case at a substrate temperature of room temperature. An average transmittance of more than 80 % in the visible region was obtained for the GZO films fabricated, providing useful functionality as TCO films in the visible region. Moreover, we studied whether the film properties were subject to influences of the position of the plume (in the central axis or at the periphery) generated between the substrate and the target.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 126(11), 1268-1275, 2006-11-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  35件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018318166
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    8560200
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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