SiGeアノード層を用いた高速リカバリ pin ダイオード Fast-Recovery Pin Diodes with SiGe Anode Layers

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抄録

Fast-recovery and low on-state-forward-voltage drop (V<sub>f</sub>) in pin-diodes can be simultaneously obtained with a relaxed SiGe crystal anode layer. We have successfully fabricated 280V-class SiGe pin diodes with a recovery time of 160ns and V<sub>f</sub> of 0.86V at a forward current density of 100A/cm<sup>2</sup>. A device simulation predicts a possibility of V<sub>f</sub>=0.7V@100A /cm<sup>2</sup> and a recovery time of 20ns by controlling carrier lifetimes at p and i layers independently with SiGe.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society  

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 126(11), 1340-1343, 2006-11-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  8件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018318357
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    8560330
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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