Lowering the Switching Current of Resistance Random Access Memory Using a Hetero Junction Structure Consisting of Transition Metal Oxides

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抄録

Both lowering the "reset" current of resistance random access memory (ReRAM) and raising the resistance in the low resistance state are crucial for practical use of ReRAM. These requirements have been satisfied by using a hetero junction structure consisting of transition metal oxides, NiOy/TiOx/Pt, combining direct contact with the NiOy using a W-probe. It is considered that this configuration brought about extreme downsizing of the effective area of both the top and bottom electrodes for NiOy and thus decreased the number of filaments formed in "forming" process. Reducing the number of filaments is essential to these issues.

収録刊行物

  • Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters  

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 45(37), L991-L994, 2006-10-25 

    Japan Society of Applied Physics

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被引用文献:  1件

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キーワード

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018340469
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10650595
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    0021-4922
  • NDL 記事登録ID
    8519633
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z54-J337
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  JSAP 
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