半導体表面からの励起電子誘起脱離(I) : ハロゲン吸着シリコンへの電子・正孔注入の場合 Desorption Induced by Excited Electrons from Semiconductor Surfaces (I) : Desorption Induced by Electron-/hole-injection into Halogen-adsorbed Silicon Surfaces

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抄録

  We review excited-electron-induced desorption from halogen-adsorbed semiconductor surfaces, focusing on desorption processes associated with electron-beam irradiation using an electron gun and hole-injection using a scanning tunneling microscope. Recent studies on halogen-adsorbed silicon surfaces, i.e., typical etching systems, are described from the viewpoint of desorption induced by electronic transitions (DIET).<br>

収録刊行物

  • 真空  

    真空 49(10), 600-604, 2006-10-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  41件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018341236
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    8564172
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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