AlGaAs/InGaAs PHEMTの劣化メカニズム(<特集>化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文) Degradation Mechanism of AlGaAs/InGaAs PHEMT

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著者

    • 日坂 隆行 HISAKA Takayuki
    • 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
    • 野上 洋一 NOGAMI Yoichi
    • 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
    • 吉田 直人 YOSHIDA Naohito
    • 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation
    • 林 一夫 HAYASHI Kazuo
    • 三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 High Frequency & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation

抄録

AlGaAs/InGaAs PHEMTの電界,湿度起因の劣化機構について調べた.RF大信号動作時にパワー密度が徐々に低下し,その劣化量はV_dが高く,また温度が高いほど大きい.また大気中で通電した場合に劣化が加速される.劣化した素子は,knee電圧付近のJmaxが低下し,R_dが増大している.断面TEM-EDX (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)分析により,ドレーン側リセス表面に多量の酸素を含む変質層が形成されていることを確認した.以上からドレーン側の高電界領域で表面劣化が生じ,これがチャネル層を狭窄することでI_<max>が低下し,その結果P_<out>が低下したと考えられる.表面劣化は,高温・高電界・高湿度により劣化が加速されることから,AlGaAs表面で腐食反応が生じていると推定した.表面劣化の影響を低減するために,保護膜形成前に表面処理を適用することで,V_d=5V,T_<ch>=175℃のRF通電時の劣化を02dB以下に抑制でき,十分に高い信頼性を確保することができた.また大気暴露での通電においても劣化が抑制され,耐湿性が改善できることを示した.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス   [巻号一覧]

    電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス J89-C(9), 568-575, 2006-09-01  [この号の目次]

    一般社団法人電子情報通信学会

参考文献:  22件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018353692
  • NII書誌ID(NCID)
    AA11412446
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13452827
  • NDL 記事登録ID
    8084159
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-607
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  NII-ELS 
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