GaN-based Vertical Field Effect Transistors Fabricated Using Self-aligned Process

• MORITA Tatsuo

  Matasushita Electric Industorial Co., Ltd, Semiconductor Company

• NAKAZAWA Satoshi

  Matasushita Electric Industorial Co., Ltd, Semiconductor Company

• UEDA Tetsuzo

  Matasushita Electric Industorial Co., Ltd, Semiconductor Company

• TANAKA Tsuyoshi

  Matasushita Electric Industorial Co., Ltd, Semiconductor Company

Bibliographic Information

Other Title

• セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ

Journal

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006 (25), 17-20, 2006-11-28

Keywords

• GaN
• InAlGaN
• vertical
• filed effect transistor
• self-aligned process
• current collapse

Details

• CRID: 1571980075268485504
• NII Article ID: 10018406169
• NII Book ID: AN10442556
• Text Lang: ja
• Data Source:
  • CiNii Articles