Siパワーデバイス Super Junction MOSFET 開発 : トレンチ埋込エピタキシャル成長技術による Si-Limit 突破 Development of Super Junction MOSFET : Breakthrough of On-resistance Si Limit using Trench Filling Epitaxial Growth

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収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会  

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006(25), 37-42, 2006-11-28 

参考文献:  9件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018406238
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10442556
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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