フッ素含有ポリイミドコートゲート絶縁層上に作製したポリチオフェンFET

• 松川 典仁

• 伊東 栄次

• 宮入 圭一

Bibliographic Information

Other Title

• フッソ ガンユウ ポリイミドコートゲート ゼツエンソウ ジョウ ニ サクセイ シタ ポリチオフェン FET

Journal

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (339), 37-42, 2006-11-10

  東京 : 電子情報通信学会

Keywords

• OFET
• Ta2O5
• 閾値電圧
• Polythiophene
• Fluorinated Polyimide
• threshold voltage

Details

• CRID: 1520853833190532096
• NII Article ID: 110005717571
• NII Article ID: 10018406839
• NII Book ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL BIB ID: 8570704
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8570704
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles