Zコントラスト法による化合物半導体ヘテロ界面急峻性評価

• 中野 貴之

  東京大学工学系研究科

• 杉山 正和

  東京大学工学系研究科

• 阿部 英司

  東京大学工学系研究科

• 霜垣 幸浩

  東京大学工学系研究科

• 中野 義昭

  東京大学先端科学技術センター

書誌事項

タイトル別名

• Abruptness of GaAs/InGaP Hetero Interfaces Analyzed by Z-contrast STEM

収録刊行物

• まてりあ

  まてりあ 45 (12), 853-853, 2006

  公益社団法人 日本金属学会

キーワード

• metal organic vapor phase epitaxy
• hetero-interface
• scanning transmission electron microscopy
• Z-contrast method
• GaAS/In GaH

詳細情報

• CRID: 1390282679055281408
• NII論文ID: 10018421895
• NII書誌ID: AN10433227
• DOI: 10.2320/materia.45.853
• ISSN: 18845843
• ISSN: 13402625
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/materia1994/45/12/45_12_853/_pdf
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles