TEM-カソードルミネッセンス法によるInGaN量子井戸の局所構造評価

• 山本 直紀

  東京工業大学理工学研究科

• 宮岡 豊

  東京工業大学理工学研究科

• 堀内 大吾

  東京工業大学理工学研究科

書誌事項

タイトル別名

• Analysis of Localized Structures in InGaN Quantum Wells by TEM-Cathodoluminescence

収録刊行物

• まてりあ

  まてりあ 45 (12), 898-898, 2006

  公益社団法人 日本金属学会

キーワード

• nitride semiconductor
• quantum well
• electron microscopy
• cathodoluminescence

詳細情報

• CRID: 1390282679055427584
• NII論文ID: 10018422023
• NII書誌ID: AN10433227
• DOI: 10.2320/materia.45.898
• ISSN: 18845843
• ISSN: 13402625
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/materia1994/45/12/45_12_898/_pdf
• データソース種別:
  • JaLC
  • Crossref
  • CiNii Articles