AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果 Surface Passivation of AlGaN/GaN HFETs by a Sputtered AlN Thin Film

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著者

    • 上野 弘明 UENO Hiroaki
    • 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    • 村田 智洋 MURATA Tomohiro
    • 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    • 石田 秀俊 ISHIDA Hidetoshi
    • 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    • 上田 哲三 UEDA Tetsuzo
    • 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    • 上本 康裕 UEMOTO Yasuhiro
    • 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    • 田中 毅 TANAKA Tsuyoshi
    • 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
    • 井上 薫 INOUE Kaoru
    • 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター Semiconductor Devices Research Center, Semiconductor Company, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. R, [信頼性]  

    電子情報通信学会技術研究報告. R, [信頼性] 106(377), 39-42, 2006-11-17 

参考文献:  6件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018436553
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013243
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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