β-FeSi2のイオンビーム合成:アニールによるSi空孔の変化

• 上西 隆文

• 安藤 裕一郎

• 前田 佳均

書誌事項

タイトル別名

• ベータ FeSi2 ノ イオンビーム ゴウセイ アニール ニ ヨル Si クウコウ ノ ヘンカ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (378), 11-14, 2006-11-24

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• イオンビーム合成法
• ラザフォード後方散乱分光法
• Ion beam synthesis
• Si vacancy
• Rutherford backscattering spectroscopy

詳細情報

• CRID: 1520572359185897600
• NII論文ID: 110005717119
• NII論文ID: 110005717273
• NII論文ID: 10018438042
• NII論文ID: 110005717265
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 8572115
• NDL書誌ID: 8572163
• NDL書誌ID: 8572030
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8572115
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8572163
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8572030
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN