β-FeSi_2のイオンビーム合成 : アニールによるSi空孔の変化 Ion beam synthesis of β-FeSi_2 : Dependence of Si vacancy on annealing time

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収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(379), 11-14, 2006-11-17 

参考文献:  7件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018438042
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10013254
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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