AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性 Surface passivation dependency of 1/f noise characterization in AlGaN/GaN HEMT

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  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(378), 27-31, 2006-11-17

参考文献:  5件中 1-5件 を表示

  • <no title>

    SCHRODER Dieter K.

    SemionductorMaterialandDeviceCharacterization, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    橋口住久

    低周波ノイズ-1/fゆらぎとその測定法-, 1991

    被引用文献1件

  • AlGaN/GaN HEMT Power Devices

    TAKADA Yoshiharu

    TOSHIBA Review, 2004

    被引用文献1件

  • AlGaN/GaN Power FET

    YOSHIDA Seikoh

    Frukawa Electric Times, 2002

    被引用文献1件

  • <no title>

    NEMIROVSKY Yael

    T-ED 48(5), 921-927, 2001

    被引用文献8件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018438299
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012954
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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