AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性 Surface passivation dependency of 1/f noise characterization in AlGaN/GaN HEMT

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収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(378), 27-31, 2006-11-17 

参考文献:  5件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018438299
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012954
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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