半導体ナノスピントロニクス・デバイス Semiconductor Nanospintronics Devices

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著者

    • 周 逸凱 ZHOU Yi Kai
    • 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University
    • 朝日 一 ASAHI Hajime
    • 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University

抄録

  This paper introduces the features and basic principles of the representative spintronics devices-MRAM, spin FET and circular light LED, especially which are fabricated by ferromagnetic semiconductors. It implies that the development of room temperature ferromagnetic semiconductor is very important towards the realization of semiconductor spintronics devices. The properties of transition metal (Cr) and rare-earth element (Gd) doped GaN, which show ferromagnetism at room temperature, are reviewed. The observation of TMR effect in GaCrN/AlN/GaCrN trilayer shows the possibility of GaN-based room temperature ferromagnetic semiconductor for semiconductor spintronics devices.<br>

収録刊行物

  • 真空  

    真空 49(12), 722-727, 2006-12-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  20件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018457554
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    8624077
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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