Ni電極表面におけるNi水酸化物膜の生成

• 兒玉 歩

  お茶の水女子大学

• 池田 寛子

  福島県立医科大学

• 中瀬 智穂

  お茶の水女子大学

• 増田 尊子

  東京医科大学

• 北原 惠一

  東京医科大学

• 荒井 貞夫

  東京医科大学

• 小沼 良雄

  株式会社 小沼技研

• 林 宏爾

  東京大学 生産技術研究所

• 山下 順三

  お茶の水女子大学

• 會川 義寛

  お茶の水女子大学

書誌事項

タイトル別名

• Formation of Nickel Hydroxide Thin Layer on the Surface of Nickel Electrode
• Ni デンキョク ヒョウメン ニ オケル Ni スイサンカブツ マク ノ セイセイ

抄録

アノード電位ステップ応答電流を解析することにより, Ni電極表面の酸化膜の形成機構を検討できることを示した.<br>過渡電流は式i(t)=i₀[1+(t/τ)]^-1/2で表され, その1/i² vs. tプロットから各電極電位φにおける時定数τが求まった. この時定数τおよびi₀²τ vs. φプロットから, 形成酸化膜の厚さと, 膜内イオンの総合移動度が得られた. 各プロットはいずれもよい直線をなし, 本解析法の妥当性を示した.<br>Ni電極表面には, 電極電位φがφ_c=0.02 V vs. SCEよりアノード側にシフトすると酸化膜が形成されはじめ, その厚さは0.2～0.4 V vs. SCEの範囲において約1.3 nmになることがわかった. また, この膜内イオンの総合移動度はμ=9.9×10^-20m²V^-1s^-1であった.

収録刊行物

• Ｚａｉｒｙｏ‐ｔｏ‐Ｋａｎｋｙｏ

  Ｚａｉｒｙｏ‐ｔｏ‐Ｋａｎｋｙｏ 55 (12), 544-548, 2006

  公益社団法人 腐食防食学会

キーワード

• Ni電極
• 表面酸化膜
• 酸化膜厚
• 移動度
• Ni(OH)₂

詳細情報

• CRID: 1390282681237012352
• NII論文ID: 10018458384
• NII書誌ID: AN10235427
• DOI: 10.3323/jcorr.55.544
• ISSN: 18819664
• ISSN: 09170480
• NDL書誌ID: 8610186
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8610186
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/jcorr/55/12/55_12_544/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可