先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜 Ultra-thin LaAlO_3 Gate Dielectrics Directly Deposited on Si Substrates for Advanced LSIs

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著者

    • 鈴木 正道 SUZUKI Masamichi
    • (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー Tohiba Corporation, Corporate Research and Development Center, Advanced LSI Technology Laboratory
    • 富田 充裕 TOMITA Mitsuhiro
    • (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー Tohiba Corporation, Corporate Research and Development Center, Advanced LSI Technology Laboratory
    • 山口 豪 YAMAGUCHI Takeshi
    • (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー Tohiba Corporation, Corporate Research and Development Center, Advanced LSI Technology Laboratory
    • 小山 正人 KOYAMA Masato
    • (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー Tohiba Corporation, Corporate Research and Development Center, Advanced LSI Technology Laboratory

収録刊行物

  • 表面科学 = Journal of The Surface Science Society of Japan  

    表面科学 = Journal of The Surface Science Society of Japan 28(1), 22-26, 2007-01-10 

参考文献:  15件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018461500
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03885321
  • データ提供元
    CJP書誌 
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