金属/絶縁体界面の物理: ショットキーバリアと原子混晶化

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タイトル別名
  • Physics of Metal/Insulator Interfaces: Schottky Barrier and Atom Intermixing
  • キンゾク ゼツエンタイ カイメン ノ ブツリ ショットキー バリア ト ゲンシ コンショウカ

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抄録

Recent two topics on Schottky barrier at metal/Hf-based dielectric interfaces and atom intermixing at metal/semiconductor interfaces are reviewed. We have constructed a universal theory of Schottky barriers based on a concept of generalized charge neutrality levels. This theory systematically explains barriers of various gate materials, in particular the unusual behavior of p-metals, and naturally reproduces band offsets at various semiconductor/semiconductor interfaces. On the other hand, we have clarified the mechanisms of atom intermixing at various metal/semiconductor interfaces by analyzing the thermal diffusion. It is shown that atom rebonding, screening of bonds, and strain relaxation are important factors to realize the intermixing.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 28 (1), 28-33, 2007

    公益社団法人 日本表面科学会

被引用文献 (3)*注記

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参考文献 (29)*注記

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