カーボンナノチューブトランジスタにおける電極界面の特性

  • 大野 雄高
    名古屋大学大学院工学研究科 (独)科学技術振興機構さきがけ
  • 能生 陽介
    名古屋大学大学院工学研究科
  • 水谷 孝
    名古屋大学大学院工学研究科 名古屋大学高等研究院

書誌事項

タイトル別名
  • Interfacial Property of Metal/Nanotube Contacts in Carbon Nanotube Transistors
  • カーボン ナノチューブ トランジスタ ニ オケル デンキョク カイメン ノ トクセイ

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抄録

It is important to understand the interfacial properties of the nanotube/metal contacts because, in the case of carbon nanotube field-effect transistors (NT-FETs), the FET action is dominated by the Schottky barrier formed at the interface of the source contact. In this study, we have studied the interfacial properties from the electrical characterization of NT-FETs. First, the conduction pass in the vicinity of the contact electrodes has been investigated using a multi-terminal device. Then, the relation between conduction property of NT-FETs and work function of the contact metals has been investigated. The interfacial band structure has been discussed in terms of the temperature dependence of the drain current.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 28 (1), 40-45, 2007

    公益社団法人 日本表面科学会

参考文献 (34)*注記

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