BaAl_2S_4:Eu青色EL薄膜の発光機構(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会) Excitation process in blue-electroluminescent BaAl_2S_4:Eu thin films

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抄録

分子線エピタキシー(MBE)装置を用いた多源蒸着法により酸素不純物が検出限界以下のBaAl_2S_4:Eu薄膜を作製した。得られたBaAl_2S_4:Eu薄膜は化学量論的組成比と高い結晶性を有しており、As-grownの状態で色純度の良好な青色ELを示した。EL波形よりBaAl_2S_4:Eu薄膜のELは、従来の電子励起と異なりホットホール励起によることが判明した。また、光電子分光スペクトル(XPS)の測定および第一原理計算の結果は、BaAl_2S_4母体の価電子帯がS3p,S3s,Al3s,Al3pよりなる事を示している。このため、BaAl_2S_4中のEu^<2+>イオンの置換するBaが価電子帯に関与しておらずEu^<2+>イオンは価電子帯から孤立した発光中心を形成している。以上の知見からホットホールが効率良くEu^<2+>イオンを励起できるという特異な発光機構を有することが明らかになった。

We have investigated excitation process in oxygen-free BaAl_2S_4:Eu electroluminescent (EL) thin-films having high crystallinity. EL wave form clarifies firstly that blue EL in BaAl_2S_4:Eu thin-film is caused by hot hole excitation. On the contrary, hot electron excitation process has been well known in thin-film EL (TFEL) devices such as ZnS:Mn. X-ray photoelectron spectroscopy spectra and first principles calculation revealed that the valence band of BaAl_2S_4 host consists of S3p, S3s, Al3s and Al3p orbital. The electronic structure indicates that Eu^<2+> ions activated in BaAl_2S_4 are well localized, and supports the unique excitation process in which hot holes excite the Eu^<2+> centers effectively in BaAl_2S_4 host.

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ   [巻号一覧]

    電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ 106(499), 13-15, 2007-01-18  [この号の目次]

    一般社団法人電子情報通信学会

参考文献:  6件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018500134
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10060775
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09135685
  • NDL 記事登録ID
    8640991
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-940
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  NII-ELS 
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