「急速に広がるGaN系405nm半導体レーザー応用」特集号によせて Preface to Special Issue on Market Explosion of 405nm Emission Semiconductor Laser of GaN System

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著者

    • 天野 浩 AMANO Hiroshi
    • 名城大学 理工学部材料機能工学科 Department of Materials Science and Engineering, Meijo University

収録刊行物

  • レーザー研究  

    レーザー研究 35(2), 64, 2007-02-15 

    The Laser Society of Japan

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018544443
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    OTR
  • ISSN
    03870200
  • データ提供元
    CJP書誌  J-STAGE 
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