GaN基板上GaN系半導体レーザーの現状 Current Status of GaN-Based Laser Diodes Grown on Freestanding GaN Substrate

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著者

    • 長濱 慎一 NAGAHAMA Shin-ichi
    • 日亜化学工業(株)第2部門LD技術本部LD開発部 LD Development Department, LD Engineering Division, Optoelectronics Products BU, Nichia Corporation

抄録

The development of optical memory devices that use violet laser diodes (LDs) has progressed significantly and these devices have been commercialized. The need for high-speed recording and multilayer recording is increasing, and it is expected that even higher power LDs will be necessary in the future. In this paper, the current state of GaN-based LD research for the next generation optical memory devices is reported, and next targets are discussed. Moreover, we developed high power pure blue laser diodes for full-color laser display. The details of these pure blue LDs characteristics are reported.

収録刊行物

  • レーザー研究

    レーザー研究 35(2), 65-68, 2007-02-15

    The Laser Society of Japan

参考文献:  8件中 1-8件 を表示

  • <no title>

    NAKAMURA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 37, L74, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    MASUI S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 42, L1318, 2003

    被引用文献1件

  • <no title>

    KOZAKI K.

    2005 International Symposium Digest of Technical Papers 36, 1605, 2005

    被引用文献1件

  • <no title>

    NAGAHAMA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 39, L647, 2000

    被引用文献1件

  • <no title>

    MOTOKI K.

    Jpn. J. Appl. Phys. 40, L140, 2001

    被引用文献1件

  • <no title>

    稲森正彦

    電子情報通信学会信学技報, 1994

    被引用文献1件

  • <no title>

    NARUKAWA Y.

    Appl. Phys. Lett. 70-8, 981-983, 1997

    被引用文献29件

  • <no title>

    CHICHIBU S.

    Appl. Phys. Lett. 71, 2346, 1997

    DOI 被引用文献24件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018544444
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    8712066
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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