高効率・高出力GaN系405nmレーザー High-Efficient and High-Power GaN-Based 405nm Laser Diodes

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抄録

Existence of large internal loss due to indium compositional fluctuation at InGaN well was shown experimentally. By adopting small optical confinement factor in the well layer (Γ<SUB>well</SUB>) to reduce optical absorption, the slope efficiency of the LD was improved from 1.5 W/A to 1.85 W/A (highest recorded). As a result, kink-free operation up to 300 mW at 80°C/CW was achieved.

収録刊行物

  • レーザー研究  

    レーザー研究 35(2), 69-72, 2007-02-15 

    The Laser Society of Japan

参考文献:  5件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018544453
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00255326
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03870200
  • NDL 記事登録ID
    8712076
  • NDL 雑誌分類
    ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
  • NDL 請求記号
    Z16-1040
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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