多元系シリサイドの新展開

• 末益 崇

  筑波大学大学院 数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻 科学技術振興機構(JST) さきがけ

• 今井 庸二

  産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門

書誌事項

タイトル別名

• Current status and future prospects of semiconducting alkaline-earth-metal silicides
• 最近の展望 多元系シリサイドの新展開--半導体BaSi2を例に
• サイキン ノ テンボウ タゲンケイ シリサイド ノ シンテンカイ ハンドウタイ BaSi2 オ レイ ニ
• —半導体BaSi2を例に—

抄録

シリサイド半導体の研究は，鉄シリサイド（β-FeSi₂）を中心に行われており，最近では強磁性体Fe₃Si と組み合わせるなど新しい展開を見せている．一方，アルカリ土類金属とSiの化合物であるシリサイド半導体にはMg₂Si，BaSi₂などがあるが，一般にはなじみがない．Mg₂Siは，SiサイトをGe，Sn，Pbと置換することで，禁制帯幅を0.7eVからゼロギャップまで制御できる特長がある．一方，BaSi₂はカルコパイライト並みの非常に大きな光吸収係数をもち，BaサイトをSrで置換して禁制帯幅を1.3eVから拡大できるなど，従来のSi系半導体にはない特長をもつ．本稿ではBaSi₂を中心に，作製方法，電気特性，光学特性，バンド計算の現状を紹介し，応用を含めて将来展望を述べる．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 76 (3), 264-268, 2007-03-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• molecular beam epitaxy
• band gap
• BaSi₂
• calculation
• electronic structure

詳細情報

• CRID: 1390282752337317632
• NII論文ID: 10018560198
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.76.3_264
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 8731067
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I8731067
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可