30-nm-Gate AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors with a Current-Gain Cutoff Frequency of 181 GHz

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抄録

We fabricated Al0.4Ga0.6N(8 nm)/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with a gate length ($L_{\text{G}}$) of 30 nm on a sapphire substrate. The AlGaN/GaN HFETs, which had a 2-nm-thick SiN passivation and gate-insulating layer formed by catalytic chemical vapor deposition, showed a maximum drain current density of 1.49 A/mm, a peak extrinsic transconductance of 402 mS/mm, a current-gain cutoff frequency ($ f_{\text{T}}$) of 181 GHz, and a maximum oscillation frequency of 186 GHz. From a delay time analysis of $ f_{\text{T}}$ for the HFETs with $L_{\text{G}}=30--150$ nm, the electron velocity overshoot was not observed even when $L_{\text{G}}$ was decreased to 30 nm.

収録刊行物

  • Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters  

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 45(42), L1111-L1113, 2006-11-25 

    Japan Society of Applied Physics

参考文献:  10件

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被引用文献:  8件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018632125
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10650595
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    0021-4922
  • NDL 記事登録ID
    8548051
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z54-J337
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  JSAP 
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